摘要 采用晶格常数和表面能都与CBN非常接近的金刚石作为衬底,可以实现CBN的异质外延。这些外延单晶CBN薄膜制备的成功使得有效地应用CBN薄膜制备半导体器件成为可能。此外,也可利用其他...
采用晶格常数和表面能都与CBN非常接近的金刚石作为衬底,可以实现CBN的异质外延。这些外延单晶CBN薄膜制备的成功使得有效地应用CBN薄膜制备半导体器件成为可能。此外,也可利用其他材料作为衬底来进行CBN膜的异质外延。比如硅衬底预处理后可以实现TBN在衬底上的直接生长,可有效降低过渡层的厚度。
采用晶格常数和表面能都与CBN非常接近的金刚石作为衬底,可以实现CBN的异质外延。这些外延单晶CBN薄膜制备的成功使得有效地应用CBN薄膜制备半导体器件成为可能。此外,也可利用其他材料作为衬底来进行CBN膜的异质外延。比如硅衬底预处理后可以实现TBN在衬底上的直接生长,可有效降低过渡层的厚度。
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公元1278年,此时的南宋就如零丁洋里的一片到处漏水的孤舟,...