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申请号: 201611217435.7
申请日: 2016.12.26
国家/省市: 中国上海(31)
公开号: 106673661A
公开日: 2017.05.17
主分类号: C04B 35/565(2006.01)
分类号: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/634(2006.01); C04B 35/65(2006.01); F41H 5/02(2006.01)
申请人: 上海工程技术大学
发明人: 曹晓莹; 林文松; 张善伟; 姚佳
代理人: 曹莉
代理机构: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司(31227)
申请人地址: 上海市松江区龙腾路333号

摘要： 本发明属于无机非金属材料领域，涉及碳化硅陶瓷材料的反应烧结制备工艺，尤其是一种厚板碳化硅陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供厚板碳化硅陶瓷材料的厚板碳化硅陶瓷材料制备方法包括步骤：将炭黑粉末与碳化硅粉末按质量比混合加入聚乙烯醇，球磨混合均匀后，喷雾造粒，得到混合粉料，模压成形，得到坯体；在坯体的表面放置硅粉形成的粉饼，进行烧结保温；烧结保温结束后，缓慢将炉温降低至200℃以下，降温速度不高于5℃/min，即可制得。本发明提供的制备工艺能显著降低反应烧结过程中陶瓷产生的热应力；本发明制备的厚板碳化硅陶瓷致密度高、没有裂纹或大面积残留硅富集等缺陷，特别适用于特种车辆的防护领域。 

主权利要求
1.一种厚板碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将炭黑粉末与碳化硅粉末按质量比5～12:95～88混合后，加入总质量10～20％的聚乙烯醇，球磨混合均匀后，喷雾造粒，得到混合粉料；S2.将步骤S1中的混合粉料模压成形，得到坯体；S3.在步骤S2中的坯体的表面放置相对于S1中的炭黑粉末质量2.5～4倍的硅粉形成的粉饼，进行烧结保温；所述烧结保持真空度不低于5×10-1Pa，缓慢升温至1650～1800℃后，保温2h；所述缓慢升温，在炉温低于800℃时，升温速度不超过5℃/min，并在400℃时保温1h，在炉温超过800℃后，升温速度不超过2℃/min；S4.在步骤S3中的烧结保温结束后，在惰性气体环境下，保持压力不低于0.5MPa，缓慢将炉温降低至200℃以下，降温速度不高于5℃/min，即制成致密且无缺陷的厚板碳化硅陶瓷材料。