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申请号: 201610370116.3
申请日: 2016.05.30
国家/省市: 中国山东(37)
公开号: 105948055A
公开日: 2016.09.21
主分类号: C01B 31/36(2006.01)
分类号: C01B 31/36(2006.01)
申请人: 山田研磨材料有限公司
发明人: 郝文虎; 龚志刚; 周强; 马光明; 韩宇; 刘文兵
代理人: 董宝锞
代理机构: 青岛发思特专利商标代理有限公司(37212)
申请人地址: 山东省临沂市临沭镇后高湖村

摘要： 本发明公开了一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，属于碳化硅微粉生产技术领域。解决了现有技术生产的碳化硅微粉杂质含量较高，提纯难度大的问题。其包括以下步骤：(1)调浆：将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内，加去离子水调节料浆浓度；(2)酸洗：加入质量分数为98％的硫酸；(3)加温搅拌：将料浆加热至40‑80℃，并搅拌陈腐；(4)加混合酸：在陈腐好的料浆中加入混合酸；(5)加温搅拌：将加入混合酸后的料浆加热至50‑80℃，搅拌、陈腐；(6)冲洗：将陈腐后的物料打入压滤机内用去离子水冲洗至pH值为5‑6.5，即得产品。本发明方法适合提纯半导体用高纯碳化硅微粉。 

主权利要求
1.一种半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：(1)调浆：将研磨好的碳化硅微粉投入搅拌桶内，加去离子水调节料浆浓度；(2)酸洗：加入质量分数为98％的硫酸；(3)加温搅拌：将加酸后的料浆加热至40-80℃，在此温度下搅拌5-10小时后陈腐8-15小时；(4)加混合酸：在陈腐好的料浆中加入混合酸，混合酸与碳化硅微粉的质量比为1:15-20；(5)加温搅拌：将加入混合酸后的料浆加热至50-80℃，在此温度下搅拌5-10小时，陈腐8-15小时；(6)冲洗：将陈腐后的物料打入压滤机内用去离子水冲洗至pH值为5-6.5，即得所述的半导体用高纯碳化硅微粉。