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       申请号: 201510714720.9
       申请日: 2015.10.29
       国家/省市: 中国河南(41)
       公开号: 105198480A
       公开日: 2015.12.30
       主分类号: C04B 38/00(2006.01)
       分类号: C04B 38/00(2006.01); C04B 35/58(2006.01)
       申请人: 中原工学院
       发明人: 张小立; 刘芳; 张艳丽; 刘英; 穆云超; 范积伟; 陈静; 郭校歌; 王明稳; 宋林坤
       代理人: 张绍琳 张真真
       代理机构: 41125
       申请人地址: 河南省郑州市新郑双湖经济技术开发区淮河路1号

       摘要： 本发明涉及一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法。该方法使用Mo、Si、C、SiC及B元素粉模压成型，通过调整真空度并熔渗Si进行烧结，获得MoSi2/SiC复合多孔陶瓷，所得材料孔隙率稳定保持在50%或以上。该方法补充了现有多孔材料品种，和现有多孔陶瓷相比，获得了更高使用温度和抗氧化性能环境下使用的多孔陶瓷品种，该法工艺简单，可规模生产。

       主权利要求 1.一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：（1）将Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉的重量比为50-80：20-35：1-10：1-30：1-5，混合时间为12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量5-17%的粘结剂，并模压成型，得到坯料；（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；（3）将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量2-20%的金属Si粉的真空烧结炉中，保持真空度在10-2-10-3Pa，升温速率为2-6℃/min；（4）在1100-1480℃保温10-60min，并降低真空度≥10-1Pa保持；升温至1500-1650℃保温10-60min，并降低真空度≥10-1Pa保持；升温至1650-1700℃保温10-40min，提高真空度≤10-2Pa保持，冷却后获得MoSi2/SiC复合多孔陶瓷。