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       申请号: 201410666300.3
       申请日: 2014.11.20
       国家/省市: 中国济南(88)
       公开号: 104478436A
       公开日: 2015.04.01
       主分类号: C04B 35/56(2006.01)
       分类号: C04B 35/56(2006.01); C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/634(2006.01); B32B 18/00(2006.01)
       申请人: 济南大学

       发明人: 栗媛媛; 李庆刚; 王志; 史国普; 吴超; 刘美佳
       代理人: 李桂存
       代理机构: 济南泉城专利商标事务所(37218)
       申请人地址: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

       摘要： 本发明属于超高温陶瓷的制备技术领域，具体涉及一种层状碳化硅/碳化锆超高温陶瓷的制备方法。本发明采用流延法制备出碳化硅流延片和碳化锆流延片，然后将其交替层叠，之后进行排胶、真空烧结。本发明通过对聚甲基丙烯酸酯、聚乙二醇、乙醇及正辛醇的用量进行限定，制备得到的流延片表面光滑且无气泡产生；对排胶、烧结温度及升温速度、烧结压力进行调控限定，制备得到的层状超高温陶瓷界面清晰，强度适中，陶瓷的致密性好，能改变裂纹传播路径从而增强断裂韧性。

       主权利要求 1.一种层状碳化硅/碳化锆超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.流延法制备碳化硅流延片和碳化锆流延片将碳化硅粉料或碳化锆粉料，同聚甲基丙烯酸酯、聚乙二醇和乙醇按质量比15:2-6:2-6:75-80混合均匀，在60℃水浴中超声分散1h，形成流延浆料，向流延浆料中加入正丁醇，混合均匀，然后采用流延法分别流延成型制备得600-800μm厚的碳化硅流延片和碳化锆流延片；b.排胶将碳化硅和碳化锆流延片剪切后交替叠片，在真空，600℃条件下，保温1-1.5小时，得层状陶瓷坯体；升温速度为5-10℃/分钟；c.真空烧结将上述层状陶瓷坯体在真空气氛、1650-1700℃、压力为10-20MPa条件下，保温1-1.5小时，冷却即得所述层状碳化硅/碳化锆超高温陶瓷；升温速率为5-10℃/分钟。