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       申请号：201310154570.1 申请日：2013-04-28

       摘要：本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法，属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀，然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中，在500℃～1000℃温度下，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低，对环境友好等特点。

       申请人： 昆明理工大学
       地址： 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
       发明(设计)人： 马文会 谢江生 魏奎先 秦博 伍继君 谢克强 周阳 龙萍 杨斌 戴永年
       主分类号： C01B31/36(2006.01)I
       分类号： C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I