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第五届单晶金刚石及其电子器件国际研讨会在西安召开

来源:宽禁带半导体   浏览次数:296    2018-06-13  加入收藏  打印  字体【 |  | 

  2018年6月9-12日,由陕西省科学技术协会、西安交通大学和单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟联合主办,陕西省真空学会、西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心和单晶金刚石及其电子器件泛太平洋国际研发与产业联盟共同承办的“第五届单晶金刚石及其电子器件国际研讨会(5thSCDE)”在西安交通大学南洋大酒店隆重召开。有来自不同国家和地区的90余位专家和学者参加此次国际研讨会。此次国际研讨会由著名光电子学专家侯洵院士担任大会名誉主席,陕西省真空学会常务副理事长、西安交通大学电信学院国家“千人计划”特聘专家王宏兴教授担任大会执行主席。

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  超宽禁带半导体——单晶金刚石集电学、光学、力学、声学和热学等优异特性于一体,在高温、高效、超大功率毫米波电子器件,电力电子器件,生物传感器,光电探测与成像,粒子探测与成像,航空航天等系统方面有着极其重要的应用前景,被业界誉为“终极半导体”。金刚石电子器件相比其他半导体器件还具有体积小、集成度高和无需制冷的优势。在节能减排、打造绿色地球方面将发挥其独特的优势,将引发新一代半导体技术的革命。

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  大会开幕式由王宏兴教授主持。此次大会由国内外多名金刚石专家和学者分别做了40余场精彩纷呈的学术报告,与会代表进行了热烈的讨论。日本金刚石协会理事长及早稻田大学H. Kawarada教授的大会邀请报告重点回顾了2017-2018年单晶金刚石及其电子器件的最新研究动向及其研究团队一年来的重要研究进展,美国亚利桑那州立大学Robert J. Nemanich教授分析了金刚石在高温、大电流电力电子器件领域的优势及国际最新研究进展,指出金刚石良好的导热和抗击穿特性使其在研制电力电子器件方面可以突破电子迁移率瓶颈限制。另外,西安交通大学宽禁带半导体研究中心、中国电科55所和北京科技大学分别报道了各自在金刚石上氮化镓微波器件研制方面的进展,引起与会专家和学者的高度关注。金刚石微波器件由于自热瓶颈的限制,使其卓越功效难以发挥,而金刚石具有自然界最好的导热特性,将氮化镓与金刚石结合可以进一步挖掘氮化镓器件的潜力,为高频、大功率和高导热氮化物器件的应用开辟新的思路。日本德岛大学敖金平博士、吉林大学超硬材料国家重点实验室刘冰冰教授、郑州大学刘玉怀教授、中电科技55所孔月婵研究员和西安交通大学宽禁带半导体研究中心学者们等四十余位分别介绍了各自团队在金刚石及其电子器件领域的研究进展。同时,会议期间与会学者报道和探讨了石墨烯、氮化硼及金刚石异质结领域的进展。此外,会议期间,国际著名光电子专家、日本德岛大学酒井士郎教授与学者探讨了其对金刚石未来的发展看法和建议。

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  此次会议为单晶金刚石材料、电子器件、金刚石单晶生长设备等相关领域的专家、学者、技术人员及企业家等提供了学术交流平台,加强国内外同行及企业家之间的相互了解和合作,共同促进国际单晶金刚石材料及其电子器件行业及相关行业的蓬勃发展。通过国内外各相关领域的专家学者的交流,展示了世界新型超宽禁带半导体及其新型碳材料研究领域的最新进展,新的实验方法和理论,进一步凝炼关键科学问题,归纳基本规律,提供理论依据和实验方法,全面推动以先进碳材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国单晶金刚石半导体材料及其电子器件研究平台的建设,并且通过共同努力,推动国际单晶金刚石及其电子器件研究的进步和发展,拓展该类先进电子材料与器件的应用与成果转化。

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  专家一致认为单晶金刚石要步入半导体大门,应重点突破高质量大面积单晶金刚石晶圆和电子器件级单晶金刚石薄膜的生长技术,这是单晶金刚石掺杂和走向应用的重要基础。此外,单晶金刚石的缺陷特性、掺杂、载流子输运调控及欧姆接触和肖特基接触也是单晶金刚石正式迈入半导体应用领域的准入证。同时,应将强金刚石与其他半导体形成异质结和异构结构方面的研究,开辟金刚石基半导体在能带工程和量子器件领域的新应用。

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【责任编辑:chengle】
关键词: 单晶金刚石   金刚石   半导体   电子器件